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Intel芯片廠產能將提升30% 將首發下代EUV光刻機

2021-12-27 來源:中電網
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關鍵詞: Intel芯片

今年3月份Intel新任CEO基辛格宣布了全新的IDM 2.0戰略,此后Intel開始了大規模的工廠擴建計劃,在美國、歐洲、亞洲等地區都會建晶圓制造及封測工廠,未來五年內產能提升30%,而且新工藝頻發。


今年9月份,Intel已經在亞利桑那州動工建設新的晶圓廠,投資高達200億美元,兩座工廠分別會命名為Fab 52、Fab 62,并首次透露這些工廠將會在2024年量產20A工藝——這與之前預期的不同,原本以為會量產的是Intel 4這樣的下兩代工藝。


在歐洲,Intel之前宣布了未來十年內有望投資1000億美元的龐大計劃,目前除了擴建愛爾蘭的晶圓廠之外,還有望在德國建設新的晶圓廠,在意大利建設新的封測廠,只不過現在還沒有正式公布,要到明年初才能決定。


前不久Intel還宣布在馬來西亞投資71億美元擴建封測廠,這里是Intel的芯片封測基地。

業界估計,Intel此番大舉擴張,預計在5年內,也就是2026年的時候產能將增長30%以上,有望追趕臺積電。


除了產能提升之外,Intel的芯片工藝也會突飛猛進,從今年底的12代酷睿使用的Intel 7工藝開始,到2025年的四年里升級五代工藝——分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A,其中前面三代工藝還是基于FinFET晶體管的,從Intel 4開始全面擁抱EUV光刻工藝。

至于后面的兩代工藝,20A首次進入埃米級時代,放棄FinFET晶體管,擁有兩項革命性技術,RibbonFET就是類似三星的GAA環繞柵極晶體管,PoerVia則首創取消晶圓前側的供電走線,改用后置供電,也可以優化信號傳輸。


20A工藝在2024年量產,2025年則會量產改進型的18A工藝,這次會首發下一代EUV光刻機,NA數值孔徑會從現在的0.33提升到0.55以上。



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