一代梟雄三星，本周或迎來(lái)驚天巨變。

　　8月10日消息，據(jù)外媒報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月9日，韓國(guó)法務(wù)部假釋審查委員會(huì)表決通過(guò)了一項(xiàng)議案，將于8月13日假釋被控挪用公款的三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕（Lee Jae-yong）。這也意味著這位全球半導(dǎo)體圈的“太子爺”將正式出獄，盡管李在镕當(dāng)前還身陷會(huì)計(jì)欺詐和操縱股價(jià)、非法使用鎮(zhèn)靜劑等多項(xiàng)審判，但對(duì)于早已習(xí)以為常的他來(lái)說(shuō)，這些只不過(guò)是“體驗(yàn)生活”而已。

　　而不久前，三星也正式披露了第二財(cái)季的財(cái)報(bào)，2021年第二季度，三星電子成功超越英特爾，時(shí)隔10個(gè)季度再度登臨全球第一大半導(dǎo)體廠商的寶座。據(jù)悉，三星的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在二季度銷售收入為22.74萬(wàn)億韓元（約合人民幣1277.26億元），高于英特爾二季度總銷售額196億美元(約合人民幣1267.34億元)。7月29日，三星電子高管在季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示，該公司今年的代工業(yè)務(wù)銷售額有望增長(zhǎng)20%。

　　在李在镕鋃鐺入獄的日子里，三星都能取得如此成績(jī)，可見(jiàn)其內(nèi)部管理運(yùn)作的能力不俗。而此次出獄，李在镕在很多方面可謂是重獲自由，無(wú)疑也將助力三星這家半導(dǎo)體巨頭重獲新生。

　　三星第二季財(cái)報(bào)：表面風(fēng)光，內(nèi)藏玄機(jī)

　　雖說(shuō)據(jù)財(cái)報(bào)披露，三星在收入方面暫時(shí)穩(wěn)居高位，并不弱于其強(qiáng)勁對(duì)手英特爾。但李在镕的入獄，給三星帶來(lái)的影響是長(zhǎng)遠(yuǎn)的，而且這種影響遠(yuǎn)比外界揣測(cè)的要大的多。

　　畢竟，盡管憑借存儲(chǔ)芯片的出貨暴增和價(jià)格波動(dòng)勝了英特爾一局，但可以明鑒的是，三星早已在晶圓代工業(yè)務(wù)尤其是先進(jìn)制程領(lǐng)域，開始遭遇來(lái)自英特爾的巨大挑戰(zhàn)。雖然三星當(dāng)前最先進(jìn)的制程已經(jīng)到達(dá)3nm，但此3nm非彼3nm，從晶體管密度上來(lái)說(shuō)，仍難與英特爾相提并論。

　　此前，Digitimes整理了三大晶圓廠在10nm、7nm、5nm、3nm、2nm的技術(shù)指標(biāo)演進(jìn)對(duì)比圖，使用的是晶體管密度（每平方毫米晶體管數(shù)量）來(lái)做對(duì)比。

　　比如，10nm時(shí)代，Intel做到了每平方毫米1.06億顆晶體管，是臺(tái)積電和三星的兩倍。7nm時(shí)代，Intel預(yù)估可以做到每平方毫米1.8億顆晶體管，臺(tái)積電9700萬(wàn)顆/平方毫米、三星9500萬(wàn)顆/平方毫米。5nm時(shí)代，Intel預(yù)估可以做到每平方毫米3億顆晶體管，臺(tái)積電1.73億顆/平方毫米、三星1.27億顆/平方毫米。

　　這樣來(lái)看的話，Intel的10nm相當(dāng)于臺(tái)積電/三星7nm、Intel 7nm相當(dāng)于臺(tái)積電/三星5nm的說(shuō)法有一定道理。不過(guò)，從5nm可以明顯看出，在晶體管密度上，三星已經(jīng)明顯落后。放眼3nm，臺(tái)積電大概可以做到2.9億顆/平方毫米，三星可以做到1.7億顆/平方毫米，三星的指標(biāo)甚至連Intel 7nm都不如。

　　所以說(shuō)，在先進(jìn)制程領(lǐng)域，雖然英特爾當(dāng)前并沒(méi)有正式將7nm產(chǎn)品推上市，但根據(jù)已披露的消息來(lái)看，三星即便是已經(jīng)拿下3nm，但在性能上，仍然難敵英特爾的7nm水平。這也是三星這家韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭尤其擔(dān)心的問(wèn)題，因此三星高管也以此為由，向韓國(guó)政府交涉，才有了今天李在镕得以出獄的局面。

　　“太子”出獄，意欲何為？

　　三星“太子”李在镕出獄，一方面可能是三星長(zhǎng)期游說(shuō)的成果；而另一方面，也意味著三星現(xiàn)在真的是遇到了問(wèn)題，需要李在镕親自出面拍板。

　　除了先進(jìn)制程的落后之外，三星究竟還遇到了什么問(wèn)題？那就是越來(lái)越激烈的三巨頭晶圓代工能力之爭(zhēng)。如今，隨著英特爾IDM 2.0戰(zhàn)略的逐步踐行落地，未來(lái)數(shù)年這家芯片巨頭的代工能力將獲得飛速提升。

　　事實(shí)上，英特爾早于今年3月宣布重返晶圓代工市場(chǎng)，并宣布投資200億美元在美國(guó)建兩座晶圓廠。今年5月，英特爾還投資35億美元對(duì)美國(guó)新墨西哥州的Rio Rancho工廠進(jìn)行升級(jí)，斥資100億美元在以色列興建新的晶圓廠。7月，英特爾還追加了對(duì)哥斯達(dá)黎加封測(cè)廠投資，金額由2020年12月的3.5億美元，提高超過(guò)70%到6億美元。

　　最新的消息還顯示，英特爾計(jì)劃投資200億美元在多個(gè)歐盟成員國(guó)建造晶圓代工廠。目前英特爾公司正在游說(shuō)，希望贏得歐盟對(duì)該項(xiàng)目的財(cái)政和政治支持。預(yù)計(jì)英特爾的晶圓代工業(yè)務(wù)將在 2023 年逐步展開，2024年開始大規(guī)模量產(chǎn)。此前英特爾已宣布其代工業(yè)務(wù)獲得了高通與AWS兩家客戶的支持和采用。

　　除了英特爾之外，臺(tái)積電也在加速投建新的晶圓廠，來(lái)彌補(bǔ)當(dāng)前產(chǎn)能不夠的問(wèn)題。據(jù)悉，臺(tái)積電去年宣布投資150億美元在美國(guó)亞利桑那州建5nm晶圓廠，目前建設(shè)工作已經(jīng)啟動(dòng)。此外，臺(tái)積電還宣布將投入28.87億美元在南京廠擴(kuò)建28nm產(chǎn)能。同時(shí)，目前臺(tái)積電也正在積極的考慮在德國(guó)、日本等海外地區(qū)建廠。

　　這無(wú)疑給三星帶來(lái)了莫大的壓力，如果不順應(yīng)時(shí)勢(shì)，擴(kuò)充自身產(chǎn)能，三星無(wú)疑將錯(cuò)失下一個(gè)時(shí)代，甚至被臺(tái)積電和英特爾徹底踢出局。為此，李在镕的出獄，也意味著三星要在一些重大戰(zhàn)線擴(kuò)充事務(wù)上做出些實(shí)際行動(dòng)了。

　　此前，據(jù)傳三星曾計(jì)劃赴美國(guó)投資170億美元建設(shè)先進(jìn)制程晶圓廠的投資案，遲遲未有定案，似乎正是由于李在镕的缺席決策。而隨著李在镕本周的出獄，該項(xiàng)投資案可能將得到盡快落實(shí)。

　　此外，三星還可能會(huì)進(jìn)一步與相關(guān)企業(yè)洽談收購(gòu)事項(xiàng)，收購(gòu)對(duì)象包括恩智浦，TI和Microchip Technology這樣的國(guó)際半導(dǎo)體巨頭，如此重大的事件自然也是要等著李在镕的出面拍板。但三星“太子”出獄，只能說(shuō)加速三星擴(kuò)張的進(jìn)程，但收購(gòu)成功的可能性，似乎微乎其微（畢竟已有過(guò)高通收購(gòu)恩智浦的先例，加之各國(guó)對(duì)半導(dǎo)體收購(gòu)政策的縮緊）。因此，即便三星重獲李在镕，但晶圓代工的霸主之路，依舊任重而道遠(yuǎn)。