昨日，半導(dǎo)體設(shè)備廠商拓荊科技股份有限公司（以下簡稱“拓荊科技”）申報(bào)科創(chuàng)板 IPO 已獲受理。拓荊科技主營業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，其主要產(chǎn)品包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三個系列。

目前拓荊科技的產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于國內(nèi)的 28/14nm 邏輯芯片、19/17nm DRAM 芯片和 64/128 層 3D NAND FLASH 晶圓制造產(chǎn)線，并開始了 10nm 及以下制程產(chǎn)品驗(yàn)證測試。

▲ 拓荊科技產(chǎn)品（來源：拓荊科技官網(wǎng)）

在半導(dǎo)體制程中，為了對所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成薄膜而加以使用，這種薄膜形成的過程一般稱為薄膜沉積。半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備和光刻機(jī)、刻蝕機(jī)一樣，是芯片制造的三大主設(shè)備。

2018 年-2020 年，拓荊科技營收增長較快，從 7064.4 萬元增長至 4.36 億元，復(fù)合增長率達(dá) 148.32%。

本次 IPO 拓荊科技計(jì)劃募資 10 億元，計(jì)劃分別用于高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)、先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)、ALD 設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化和補(bǔ)充流動資金 4 個項(xiàng)目。

▲ 拓荊科技募資方向與使用安排（來源：拓荊科技招股書）

國家集成電路基金為拓荊科技第一大股東，所占股份比例為 26.48%。由于最近 2 年內(nèi)，拓荊科技第一大股東所持股權(quán)比例不足控股，其他股東持股比例相對分散，所以拓荊科技不存在控股股東。2019 年 1 月 1 日至今，拓荊科技無實(shí)際控制人。

▲ 拓荊科技股權(quán)結(jié)構(gòu)（來源：拓荊科技招股書）

01. 2019 年?duì)I收增長 255%，中芯國際、華虹集團(tuán)、長江存儲為主要客戶

報(bào)告期內(nèi)，2018 年-2020 年拓荊科技營業(yè)收入分別為 7064.40 萬元、2.51 億元和 4.36 億元，2021 年第一季度其營收為 5774.10 萬元。2019 年和 2020 年拓荊科技營收較上年同期增幅分別為 255.66% 和 73.38%。

凈利潤方面，拓荊科技至今仍在持續(xù)虧損，但虧損金額有所減少。2018 年-2020 年拓荊科技凈利潤分別為-1.03 億元、-1936.64 萬元和-1087.57 萬元，2021 年第一季度凈利潤為-944.59 萬元。

報(bào)告期內(nèi)，拓荊科技 2018 年-2021 年第一季度各期研發(fā)費(fèi)用分別為 1.08 億元、7431.87 萬元、1.23 億元和 2714.86 萬元，占各期營業(yè)收入的比例分別為 152.84%、29.58%、28.19% 和 47.02%。較大的研發(fā)投入是拓荊科技虧損的主要原因之一。

▲ 拓荊科技 2018 年-2021 年第一季度各期營收、凈利潤、研發(fā)投入變化

拓荊科技產(chǎn)品主要分為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三個系列。報(bào)告期內(nèi) PECVD 設(shè)備收入占總營收比例一直超過 75%，業(yè)務(wù)收入增速也較快，是拓荊科技的主要收入來源。

2018 年、2019 年、2020 年和 2021 年第一季度 PECVD 設(shè)備收入占拓荊科技總營收比例分別為 77.98%、100%、97.55% 和 100%。另外兩項(xiàng)業(yè)務(wù)仍處于市場開拓階段，2021 年第一季度 2 項(xiàng)業(yè)務(wù)收入為 0。

▲ 拓荊科技各業(yè)務(wù)營收金額及占比（來源：拓荊科技招股書）

從銷售情況來說，拓荊科技客戶較為集中。其 PECVD 設(shè)備的主要客戶有中芯國際、華虹集團(tuán)、長江存儲和重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司；ALD 設(shè)備主要客戶為上海集成電路研發(fā)中心有限公司（ICRD）；SACVD 設(shè)備的主要客戶則是北京燕東微電子科技有限公司。

其中，中芯國際、華虹集團(tuán)和長江存儲從 2018 年至 2021 年第一季度一直為拓荊科技前五大客戶。

▲ 拓荊科技 2018 年-2021 年第一季度前五大客戶（來源：拓荊科技招股書）

在供應(yīng)方面，拓荊科技采購的原材料主要包括機(jī)械類、機(jī)電一體類、電氣類、氣體輸送系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和附屬設(shè)備等。

報(bào)告期內(nèi)，拓荊科技前五大供應(yīng)商變動較小，2018 年至今 7 家廠商曾是拓荊科技的前五大供應(yīng)商。

▲ 拓荊科技 2018 年-2021 年第一季度前五大供應(yīng)商（來源：拓荊科技招股書）

02. 產(chǎn)品總體性能已達(dá)國際同類水平，研發(fā)人員占比超 4 成

從市場上來看，全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場主要由美國應(yīng)用材料、美國泛林半導(dǎo)體、日本東京電子、荷蘭先晶半導(dǎo)體等企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位。

招股書顯示，2019 年，在全球化學(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備市場中，應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體、東京電子的市場占有率分別為 30%、21% 和 19%；在 ALD 設(shè)備全球市場中，東京電子（TEL）、先晶半導(dǎo)體（ASMI）的市場占有率分別為 31% 和 29%。

▲ 全球 ALD、CVD、PVD 設(shè)備市場份額（來源：拓荊科技招股書）

相比于上述公司，拓荊科技在營收、毛利率和凈利潤等盈利指標(biāo)上存在較大差距，在融資渠道和研發(fā)經(jīng)費(fèi)上相對不足。此外，拓荊科技的業(yè)務(wù)收入也比較集中，相對外國半導(dǎo)體設(shè)備巨頭來說企業(yè)認(rèn)知度不足，面臨一定的市場進(jìn)入壁壘。

另一方面來看，拓荊科技已形成覆蓋 20 余種工藝型號的薄膜沉積設(shè)備，滿足晶圓制造產(chǎn)線多種工藝需求。其產(chǎn)品總體性能和關(guān)鍵性能參數(shù)已達(dá)到國際同類設(shè)備水平。

▲ 拓荊科技產(chǎn)品性能關(guān)鍵參數(shù)水平評價（來源：拓荊科技招股書）

這樣的產(chǎn)品性能離不開研發(fā)團(tuán)隊(duì)的努力和企業(yè)的技術(shù)積累。

在研發(fā)團(tuán)隊(duì)方面，拓荊科技研發(fā)人員共有 142 人，占公司員工總數(shù)的 43.56%。其核心技術(shù)人員有公司創(chuàng)始人兼董事姜謙、董事長呂光泉、總經(jīng)理田曉明、副總經(jīng)理張孝勇、副總經(jīng)理周堅(jiān)、監(jiān)事會主席兼資深技術(shù)總監(jiān)葉五毛和產(chǎn)品部總監(jiān)寧建平等 7 人。

其中，姜謙和田曉明擁有 35 年的半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，呂光泉則具有 27 年的高端半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)研發(fā)、管理經(jīng)驗(yàn)。3 人都是美國國籍。

▲ 拓荊科技董事長呂光泉（左一）和創(chuàng)始人、董事姜謙（右一）

姜謙曾在美國布蘭迪斯大學(xué)獲博士學(xué)位。1982 年 1 月至 1984 年 6 月，姜謙任麻省理工學(xué)院材料科學(xué)工程中心研究員。1984 年 7 月，姜謙于英特爾就職，歷任工程師、研究員、項(xiàng)目經(jīng)理、部門經(jīng)理等多個職位。此后他在美國諾發(fā)、欣欣科技（沈陽）有限公司擔(dān)任過副總裁和執(zhí)行董事職務(wù)。2010 年 4 月至今，姜謙任職于拓荊科技。

呂光泉為美國加州大學(xué)圣地亞哥分校博士，1994 年 8 月至 1996 年 4 月，他任美國科學(xué)基金會尖端電子材料研究中心電子材料副研究員；1996 年 4 月至 2007 年 7 月，呂光泉就職于美國諾發(fā)，歷任高級工程師、PECVD 工藝研發(fā)部經(jīng)理、項(xiàng)目主任兼工藝研發(fā)高級經(jīng)理、ALD 技術(shù)高級經(jīng)理；2007 年 7 月至 2014 年 8 月，他就職于德國愛思強(qiáng)公司。2014 年 9 月至今，呂光泉于拓荊科技任職。

田曉明則有美國東北大學(xué)電子工程學(xué)碩士和新加坡南洋理工大學(xué)工商管理碩士學(xué)位。1991 年 9 月至 1994 年 12 月，田曉明任美國 Codi Semiconductor,Inc. 工藝開發(fā)經(jīng)理；1994 年 12 月至 2008 年 10 月，他就職于泛林半導(dǎo)體，擔(dān)任過資深工藝工程師、資深工藝研發(fā)經(jīng)理、資深大客戶經(jīng)理、中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)等職位；2008 年 10 月至 2018 年 2 月，田曉明為尼康精機(jī)（上海）有限公司資深副總裁；此后，田曉明就職于拓荊科技。

技術(shù)積累方面，拓荊科技，在機(jī)臺結(jié)構(gòu)、傳動模塊、反應(yīng)腔體、關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件、氣路、溫度控制系統(tǒng)等方面，形成了一系列自研設(shè)計(jì)，構(gòu)建了較為完善的知識產(chǎn)權(quán)體系。截至招股書簽署日，拓荊科技累計(jì)已獲授權(quán)的專利 167 項(xiàng)，其中發(fā)明專利共計(jì) 86 項(xiàng)。

03. 大基金為第一大股東，中微董事長尹志堯任董事

根據(jù)招股書，本茨發(fā)行前拓荊科技的前三大股東分別為國家集成電路基金、國投上海和中微半導(dǎo)體，其所持股份比例分別為 26.48%、18.23% 和 11.20%。中微半導(dǎo)體也提名了其董事長兼總經(jīng)理尹志堯作為拓荊科技董事。

其余持股超過 5% 的股東還有嘉興君勵和潤揚(yáng)嘉禾，持股比例分別為 7.39% 和 6.57%。

▲ 拓荊科技前十大股東（來源：拓荊科技招股書）

04. 結(jié)語：收入來源較為單一，盈利周期仍不確定

在新建晶圓廠中，薄膜沉積設(shè)備作為晶圓制造的關(guān)鍵一環(huán)，其投資規(guī)模占晶圓制造設(shè)備總投資的 25% 左右。當(dāng)前，全球薄膜沉積設(shè)備市場份額被應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體、東京電子等行業(yè)巨頭所占據(jù)。

拓荊科技作為我國薄膜沉積設(shè)備頭部廠商之一，基本上代表了我國 PECVD 等產(chǎn)品的水平。其 IPO 如果能夠成功，對我國薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)業(yè)技術(shù)實(shí)力有著積極影響。但值得注意的是，拓荊科技當(dāng)前收入較為依賴 PECVD 設(shè)備，ALD、SACVD 設(shè)備處于市場開拓階段，盈利周期有著不確定性。