人工智能快速發(fā)展帶來了海量的大數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)中心計(jì)算機(jī)的需求正在急劇增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施承擔(dān)著數(shù)據(jù)傳遞、加速、展示、計(jì)算和存儲(chǔ)等功能。隨著數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的廣泛化，數(shù)據(jù)中心的發(fā)展建設(shè)進(jìn)入高速時(shí)期，對(duì)于應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心的分立器件產(chǎn)品而言，這是巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。在信息時(shí)代下，數(shù)據(jù)中心價(jià)值會(huì)越來越高，可靠性能也需要進(jìn)一步加強(qiáng)。好的分立器件才能更好支持?jǐn)?shù)據(jù)中心快速發(fā)展。數(shù)據(jù)中心需要什么樣的分立器件呢，本文帶大家了解下。

通常，數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品通常包括：

1、制冷模塊，負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)中心內(nèi)部的溫度控制，通常采用精密空調(diào)、列間空調(diào)等設(shè)備，實(shí)現(xiàn)高效節(jié)能的制冷效果。

2、供配電模塊，包括電源系統(tǒng)、配電柜、UPS（不間斷電源）等，確保數(shù)據(jù)中心設(shè)備的穩(wěn)定供電，并提供應(yīng)急電源保障。

3、網(wǎng)絡(luò)布線模塊，負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)中心內(nèi)部及與外部網(wǎng)絡(luò)的連接，包括光纖、銅纜等傳輸介質(zhì)，以及交換機(jī)、路由器等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。

4、服務(wù)器模塊，數(shù)據(jù)中心的核心設(shè)備，用于存儲(chǔ)和處理數(shù)據(jù)。包括機(jī)架式服務(wù)器、刀片式服務(wù)器等多種類型，根據(jù)業(yè)務(wù)需求進(jìn)行配置。

5、存儲(chǔ)設(shè)備模塊，包括硬盤陣列、網(wǎng)絡(luò)附加存儲(chǔ)(NAS)、存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)(SAN)等，提供大容量、高速的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。

6、物理安全模塊，包括門禁系統(tǒng)、監(jiān)控系統(tǒng)、消防系統(tǒng)等，確保數(shù)據(jù)中心的安全運(yùn)行，防止未經(jīng)授權(quán)的訪問和破壞。

還有其它資源管理軟件、監(jiān)控軟件、安全管理軟件、數(shù)據(jù)分析平臺(tái)(DAP)等。

數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品對(duì)MOS管參數(shù)和性能的要求

12V的輸出電壓多半使用中心抽頭變壓器，而48V系統(tǒng)考慮全橋整流。48V輸出的產(chǎn)品是目前市場(chǎng)上主要發(fā)展的，根據(jù)P=IV，同等功率下，電壓越高，電流越小。而根據(jù)功耗P=I2R,電流變小了，功耗會(huì)減少。

第一級(jí) PFC 電路，電路啟動(dòng)時(shí)，沖擊電流較大，要求 MOSFET 有較強(qiáng)的 EAS能力，高頻橋臂要求 MOS 的開關(guān)性能好，低頻橋臂要求 MOS 導(dǎo)通小，后級(jí) LLC 諧振電路，要求 MOSFET的 體內(nèi)二極管具有較強(qiáng)的 di/dt 能力，較小Qrr。

市場(chǎng)上主流數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品對(duì)MOS要求的封裝形式有TO-247/TO-220/TO-223/PDFN5*6等，產(chǎn)品耐壓值在40V-1200V不等。