眾所周知，ASML已經(jīng)推出了最新的EUV光刻機，叫做High NA EUV。

這種High NA EUV光刻機，與之前的光刻機，最大的參數(shù)區(qū)別就是之前的EUV光刻機，數(shù)值孔徑是0.33NA的，現(xiàn)在的是0.55NA的。

數(shù)值孔徑越大，收集和聚焦光就越多，那么光線功率越高，分辨率也越高。

按照ASML的說法，未來很長一段時間，High NA EUV可能就是天花板，可能再難以前進了，因為數(shù)值孔徑達到0.55之后，以當前的技術(shù)水平，很難提升，除非技術(shù)上再有突破了。所以理論上有數(shù)值孔徑為0.75 NA的Hyper NA EUV光刻機，但不一定能夠量產(chǎn)。

也因為數(shù)值孔徑的提升，所以以前的舊EUV光刻機，只能打印13.5nm的線寬，新的High NA EUV可以打印8nm線寬。

所以，ASML給大家的建議是，當生產(chǎn)2nm以下的芯片時，最好使用High NA EUV光刻機，因為分辨率更高。

為此，英特爾為了盡快推出2nm芯片，追上并超過臺積電，就找ASML買了最新的High NA EUV光刻機，目前ASML已經(jīng)將其運到了intel。

據(jù)稱這臺光刻機，重量高達150噸，也就是150000KG，運輸時用到250個貨箱，運到intel后，還需要ASML派250名工程師，花費6個月，才能組裝并聯(lián)調(diào)到位。

不過對這種光刻機，臺積電似乎不感興趣，臺積電之前表示，2nm肯定不用這種光刻機，因為太貴了，就用之前的標準EUV光刻機就行。

后來臺積電更是表示，1.6nm芯片，也不用這種光刻機，用標準EUV就夠了，原因還是太貴，臺積電不想換，畢竟這種光刻機要3.5億歐元一臺，接近30億元。

但是，近日，臺積電還是改口了，只確定2025年量產(chǎn)的2nm不用這種0.55NA的光刻機，至于1.6nm的，臺積電自己也表示不確定了。

而ASML則表示，目前已經(jīng)和臺積電達成溝通，臺積電會購買這種0.55NA的光刻機，至于什么時候購買，用于什么工藝，ASML沒說。

其實說對于這個結(jié)果，并不意外，雖然0.55NA的EUV光刻機貴，但臺積電也有不得不買它的理由。

前面已經(jīng)提到過，數(shù)值孔徑提升，分辨率提高，從13.5nm的線寬，提高到8nm了。另外生產(chǎn)速度也提升了，之前舊的EUV，每小時只能生產(chǎn)200片12寸的晶圓，新的0.55NA EUV光刻機，能生產(chǎn)400-500片12寸的晶圓，速度快2-2.5倍了。

對于臺積電而言，如果速度、精度、效率都被英特爾超過了，那么前景堪憂，所以臺積電也不得不認慫，繼續(xù)找ASML買最新的EUV光刻機，哪怕它很貴，高達30億元一臺，也不得不買。

而這也正是ASML的商業(yè)模式，那就是擠牙膏式的不斷升級ASML光刻機，推進先進工藝，然后讓晶圓廠來買，一旦工藝不再前進，那么整個產(chǎn)業(yè)都會崩塌，而現(xiàn)在ASML差不多也走到終點了。