根據(jù)協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股，較Transphorm在2024年1月10日的收盤價溢價約35%，較過去十二個月的成交量加權(quán)平均價格溢價約56%，較過去六個月的成交量加權(quán)平均價格溢價約78%。

據(jù)了解，本次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元。瑞薩電子方面表示，此次收購完成后，將為公司提供GaN的內(nèi)部技術(shù)，從而擴展其在電動汽車、計算(數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施）、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業(yè)務(wù)范圍。

瑞薩電子布局SiC和GaN

作為碳中和的基石，對高效電力系統(tǒng)的需求正在不斷增加。為了應(yīng)對這一趨勢，相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在向以碳化硅（SiC）和GaN為代表的寬禁帶(WBG)材料過渡。這些先進材料比傳統(tǒng)硅基器件具備更廣泛的電壓和開關(guān)頻率范圍。

在2023年5月，瑞薩社長兼CEO柴田英利在線上戰(zhàn)略說明會上表示，將自2023年起開始投資SiC功率半導體，公司的目標是在2025年開始進行量產(chǎn)，目前瑞薩電子自建SiC生產(chǎn)線在建設(shè)中。除了自建SiC生產(chǎn)線之外，瑞薩電子還于2023年7月，與Wolfspeed簽署了為期10年的SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議。

此次收購Transphorm，是瑞薩電子在GaN方面的布局，其目標是利用Transphorm在GaN方面的專業(yè)知識，進一步擴展瑞薩的WBG產(chǎn)品陣容。與SiC一樣，GaN也是一種新興材料，后者可實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更小的外形尺寸。這些優(yōu)勢可讓系統(tǒng)具有更高效、更小、更輕的結(jié)構(gòu)以及更低的總體成本。瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術(shù)來開發(fā)新的增強型電源解決方案，例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案，以及面向計算、能源、工業(yè)和消費應(yīng)用的解決方案。

最終收購將于2024年下半年完成

針對此次收購，目前Transphorm董事會已一致批準最終協(xié)議，并建議Transphorm股東通過該最終交易并批準合并。在簽署本次最終協(xié)議的同時，持有Transphorm約38.6%已發(fā)行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已與瑞薩簽訂慣例投票協(xié)議以支持本次交易。

據(jù)了解，該交易預(yù)計將于2024年下半年完成，但需獲得Transphorm股東的批準、監(jiān)管部門的許可和其他慣例成交條件的滿足。