眾所周知，在芯片光刻機領域，有4大廠商，分別是ASML、佳能、尼康、上海微電子。

其中ASML占了85%+的份額，佳能、尼康合計占了15%左右的份額，至于上海微電子，其實就是打醬油而已，份額接近于0%。

當然，最重要的是，用于7nm以下的EUV光刻機，只有ASML能生產，份額占了100%。

為了壟斷EUV光刻機，ASML與全球5000多家廠商達成合作，將一些關鍵技術/公司，買的買，捆綁的捆綁，讓這些核心技術，無法向其它廠商供應，所以ASML在EUV領域，連不擔心其它廠商有突破。

這也導致其它光刻機廠商，走不通EUV光刻機這條路，只能換道，比如佳能換道NIL納米壓印技術方向，俄羅斯押X射線方向，美國一些廠商，則押BLE電子束方向，歐洲一些廠商押注DSA自生長方向。

而近日，終于傳出了重磅消息，那就是佳能的NIL光刻機有了重大突破，佳能（Canon）公司發(fā)布新聞稿稱，正式開始銷售芯片生產設備 FPA-1200NZ2C，這種光刻設備，采用的是NIL納米壓印技術，可以制造 5 nm 芯片。

而這也是全球第一款不使用EUV技術，就能夠規(guī)模制造5nm芯片的光刻技術，據稱設備成本，以及制造芯片的成本，遠比EUV光刻技術低很多。

納米壓印的原因，就像印刷書本一樣，先刻一個電路板的章子，然后再印到硅晶圓上，目前這套設備，可以應用于最小 14 平方毫米的硅晶圓，從而可以生產相當于 5nm 工藝的芯片。

佳能表示，未來NIL可以實現2nm芯片的制造，不再需要EUV光刻機。

而關于NIL納米壓印，之前SK 海力士和鎧俠等存儲芯片制造商曾嘗試過使用，不過當時的精度是15nm以上，且當時效果不太好，良率低。

不知道這次佳能的新設備如何？很明顯，如果佳能的NIL光刻機，真的能夠達到5nm，且率良不錯，那絕對可以打破ASML在EUV光刻機上的壟斷，大家進入5nm時，不一定非得買ASML的設備了。

不過，大家要注意的是，佳能是不可能將這設備賣給中國大陸的，畢竟日本有針對中國芯片的禁令，14nm以下的設備，不能賣的，所以我們還得自研，日本廠商也一樣靠不住。