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被美國打壓后,中國大陸芯片制造技術(shù),已落后臺積電4代8年

2023-08-28 來源:只談數(shù)碼科技
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關(guān)鍵詞: 臺積電 芯片 中芯國際

按照媒體的說法,蘋果的iPhone15將于9月13日晚上發(fā)布。


而這次的iPhone將搭載全球首款3nm的手機Soc芯片A17,而這也是臺積電首顆量產(chǎn)的3nm芯片,更是全球首顆量產(chǎn)的3nm手機芯片。


而在蘋果A17之后,像高通、聯(lián)發(fā)科、三星等,也將推出3nm的手機芯片,意味著芯片工藝,正式進入3nm時代。



而臺積電進入了3nm,從另外一方面來看,也意味著中國大陸的芯片制造技術(shù),相比于臺積電,又落后了一代,從之前的落后2代,變成了落后4代。


目前中國大陸最先進的工藝是中芯的14nm工藝,而離3nm工藝,中間還有10nm、7nm、5nm這么三代,再加上3nm這么一代,一共是4代。


如果按時間來算,臺積電于2015年就量產(chǎn)了16nm(等效于14nm工藝),而從16nm到3nm,臺積電花了8年時間,相當(dāng)于這4代,按照正常情況,至少需要8年時間。



大家都清楚,現(xiàn)在可不是正常情況,美國可是在打壓中國芯片產(chǎn)業(yè),全面禁止14nm及以下的設(shè)備銷售,所以中國大陸要進入14nm以下工藝,時間未知……


事實上,當(dāng)初美國沒有打壓的時候,中國大陸離臺積電工藝,其實是不遠(yuǎn)的。


2015年臺積電量產(chǎn)16nm(14nm),然后中芯國際在2019年量產(chǎn)14nm工藝,只相差4年。而2019年時,臺積電還在量產(chǎn)7nm工藝,意味著當(dāng)時中芯國際只落后臺積電2代。



當(dāng)時中芯國際請到了梁孟松這個大神,梁孟松帶領(lǐng)中芯國際,迅速進入了14nm,并對10nm、7nm展開了研究,前期研究工作都已經(jīng)準(zhǔn)備好了,只等EUV光刻機。


誰知道這臺EUV光刻機沒有等到,反而等到了美國的禁令,不僅EUV光刻機買不到,連先進一點的DUV光刻機(浸潤式光刻機)都買不到了。


然后中芯與臺積電的差距,也就從落后2代4年,變成了落后4代8年了。



并且不黑不吹,如果禁令持續(xù),落后只會越來越多,因為我們很長一段時間之內(nèi),會一直卡在14nm,要等到國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備均邁入14nm以下,才會有進步。


這個時間要多久,誰也不清楚,但估計肯定不是短時間的事情。所以國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè),真的要加油,任何重大的突破,一定要基于國產(chǎn)設(shè)備才算是真突破,假如借助美國的技術(shù)/設(shè)備來突破,依賴性太大,別人一卡就死,沒有太多意義。



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