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不黑不吹,僅光刻機突破28nm,救不了中國半導體產業

2023-08-17 來源:只談數碼科技
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關鍵詞: 臺積電 芯片 中芯國際

按照命名法,目前只有EUV光刻機、DUV光刻機,其中DUV又分為浸潤式光刻機ArFi,干式光刻機ArF Dry。KrF光刻機、I線、G線光刻機的說法。


而這些光刻機,又對應不同的工藝制程的,業界其實是沒有什么90nm、28nm、7nm光刻機之類的說法。



但最近,卻總有新聞說國產28nm光刻機要來了,所以我也搞不懂,這個28nm光刻機,究竟是屬于哪一種?猜測應該是浸潤式光刻機中的一種吧,那為何他又是28nm呢?這個28nm是指最高工藝制程是28nm,還是指分辨率什么呢?


如果指最高工藝的話,這個28nm究竟是怎么得出來的,浸潤式不應該是最高7nm么,而普通的ArF Dry最高一般是65nm?


然后如果指分辨率的話,如下圖所示,ASML的浸潤式光刻機NXT:1980Di分辨率為38nm,但能制造7nm芯片,這個28nm分辨率豈不是更先進了?



所以我有一點糊涂了,搞不清楚,這個28nm光刻機,究竟是怎么回事。


另外還值得一提的,很多人總以為,有了這臺光刻機,國產芯片就有救了,再也不怕被卡脖子了,我覺得這事也值得商榷的,在我看來,僅有光刻機的突破,是救不了中國半導體的。


芯片制造,需要上百種半導體設備,光刻機只是產線上的一個主要設備,其他設備的國產替代和追趕同樣重要。



這是從網絡上得出一張圖,顯示的是幾大關鍵設備,目前國際先進水平,與國內先進水平的差距情況表。


大家一看就知道,目前國內的關鍵設備,更多還是在14nm,而光刻機公開的是在90nm,未證實的是28nm,中間還是差的有點距離的。


除了這些設備之外,芯片制造過程中,還需要幾十上百種材料,比如光刻膠、靶材、特種氣體等等,有些材料,目前僅日本能制造,比如EUV光刻膠等。



你看看,這僅僅是一臺光刻機的事情么?是眾多個與光刻機一樣重要的事情結合在一起,光刻機只是其中的一環而已。


說實話,目前美帝如果僅自己一家的力量,也搞不定14nm芯片,必須整合全球供應鏈,一個國家想要高度國產化搞定芯片產業鏈,制造出先進的芯片來,需要連續不斷N多年如一日地投資投資再投資。


不僅要投資半導體設備、材料企業,還要想辦法讓下游的企業,有動力用國產芯片,而芯片企業有動力購買國產設備、國產材料,這個過程需要巨額投資,更需要時間,不是一臺光刻機就能夠解決的事情。



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