眾所周知，在芯片的制造過(guò)程中，光刻機(jī)是價(jià)值最高的半導(dǎo)體設(shè)備，同時(shí)光刻工藝是耗時(shí)最多，工序最復(fù)雜的工藝。

所以在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模中，光刻機(jī)也是市場(chǎng)最大的設(shè)備之一，約占所有半導(dǎo)體設(shè)備的20%左右，是唯二超過(guò)20%比例的設(shè)備。

目前全球有四大光刻機(jī)廠商，分別是荷蘭的ASML、日本的尼康、佳能，還有中國(guó)的上海微電子。

ASML最先進(jìn)的光刻機(jī)是EUV光刻機(jī)，全球僅它一家能夠生產(chǎn)。尼康最先進(jìn)的光刻機(jī)是浸潤(rùn)式光刻機(jī)，也就是ArFi光刻機(jī)，采用的是193nm的深紫外線(xiàn)光源，但經(jīng)過(guò)水這一層介質(zhì)后，等效于134nm光源。

而佳能無(wú)法生產(chǎn)ArFi光刻機(jī)，還只能生產(chǎn)ArF Dry光刻機(jī)，光源也是193nm的深紫外線(xiàn)，但介質(zhì)是空氣，不是水，所以稱(chēng)之為ArF Dry(干式光刻機(jī))，對(duì)的采用水的ArFi的則是浸潤(rùn)式光刻機(jī)。

而上海微電子也無(wú)法生產(chǎn)ArFi光刻機(jī)，還只能生產(chǎn)ArF Dry光刻機(jī)，在上海微電子的官網(wǎng)上顯示，目前最先進(jìn)的光刻機(jī)是SSA600/20，分辨率是90nm。

很多人表示，分辨率是90nm的光刻機(jī)，在經(jīng)過(guò)二次曝光后是45nm，再三次曝光后是28nm什么的，反正就是國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)至少能夠到達(dá)28nm工藝。

當(dāng)然，也有人反駁，表示不可能。那么國(guó)產(chǎn)的光刻機(jī)，最多能夠支撐多少納米的芯片工藝？其實(shí)非常簡(jiǎn)單，看ArF Dry的極限工藝就明白了。

上圖就是目前所有制程對(duì)應(yīng)的光刻機(jī)，可以看到ArF Dry可以實(shí)現(xiàn)從130nm-55nm工藝的光刻；而浸潤(rùn)式光刻機(jī)（ArFi）可以實(shí)現(xiàn)45nm-7nm的光刻；5nm及以下就必須用到EUV光刻機(jī)了。

所以我們?nèi)∽罡吖に嚨哪且豁?xiàng)，也就是說(shuō)ArF Dry最多也就是實(shí)現(xiàn)55nm，是無(wú)法實(shí)現(xiàn)45nm及以下的，一旦進(jìn)入45nm，就必須有浸潤(rùn)式光刻機(jī)才行，而目前我們還沒(méi)有掌握浸潤(rùn)式的技術(shù)（暗中有沒(méi)有，這個(gè)不清楚，反正公開(kāi)信息沒(méi)有）

目前還沒(méi)有任何一家廠商的ArF Dry光刻機(jī)，能夠?qū)崿F(xiàn)45nm及以下工藝的光刻。可見(jiàn)，對(duì)于當(dāng)前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，最拖后腿的應(yīng)該就是光刻機(jī)了，你覺(jué)得呢？