在芯片制造企業中，臺積電可以說一馬當先，尤其是在先進制程芯片的產能和良品率方面，隨后是三星、英特爾、中芯國際等企業。

用臺積電張忠謀的話說，三星是臺積電的勁敵，中芯國際與臺積電還有5年的差距。

畢竟，三星在工藝方面與臺積電不分伯仲，只是產能和良品率低一些，而中芯國際目前能夠量產N+1、14nm等制程的芯片，而臺積電則開始量產3nm芯片了。

雖然兩者之間存在一些差距，但也是有原因的。因為中芯早在2019年就全款訂購了一臺，但ASML的EUV光刻機卻不能自由出貨。

另外，梁孟松也表示EUV光刻機到貨后，5nm芯片就能夠全面展開研發了。

不過，全球缺芯后，情況就出現了變化，各大晶圓工廠都積極擴大芯片產能，其中，臺積電計劃投資1000億美元，主要提升先進制程芯片的產能。

三星計劃在未來10年投資超2000億美元擴產，而英特爾也宣布了1000億美元的投資建廠計劃。

但是，中芯國際的動作也很快，關鍵是很準確，其早在2020年就開始投資擴產，直接投資500億元擴大28nm等芯片生產線。

隨后，中芯國際又在深圳、上海、天津三個城市宣布投資建廠，仍是擴大28nm等芯片的生產線，四次投資超過1700億元。

如今，全球缺芯得到了緩解，先進制程芯片的產能已經出現過剩，高通、聯發科等削減訂單，英特爾、蘋果等推遲了3nm芯片，但成熟工藝芯片仍很緊缺。

甚至有消息稱，臺積電計劃放棄N3工藝，明年直接采用N3E工藝，同時，由于先進制程芯片訂單減少，都計劃關閉部分EUV光刻機。

這意味著中芯國際賭對了，其多次擴大28nm等芯片的產能是正確的做法。

更何況，ASML也表示28nm等成熟工藝的芯片才是最缺的產品，這影響了半導體、汽車等眾多行業。

當然，中芯國際不僅在28nm芯片產能方面領先，其還實現了BCD工藝方面領先。

據悉，BCD工藝是單片集成工藝，就是將三種不同的元器件集中在一顆芯片上制造，該工藝的芯片主要用在汽車、通信等領域內。

就目前而言，在BCD工藝方面，中芯國際也做到了領先，已經實現了55nm。

要知道，BCD工藝的55nm與其它工藝不同了，畢竟，意法半導體的BCD工藝是90nm，臺積電和三星的BCD工藝也停留在65nm。

從這一點就能夠看出來在，中芯國際在BCD工藝方面是再次領先了。

當然，在28nm芯片擴產和BCD工藝方面，中芯國際做到了領先優勢，臺積電也是變相承認了這一點。

據悉，臺積電已經開始擴大28/22nm等制程的芯片，其先是擴大南京工廠產能，隨后又在日本建廠，還計劃在歐洲、印度等地區建廠。

臺積電大肆投資建設28n/22nm等芯片工廠，這就說明其承認中芯國際擴大28nm芯片產能的做法是正確的。

另外，臺積電總裁魏哲家早就表示28nm等芯片滿足汽車、5G通訊等諸多行業對芯片的大量需求，還是實現了性能和成本之間的平衡。

臺積電總裁魏哲家日前再次警告稱，低端芯片的短缺，正在讓整個半導體產業受到影響。而所謂低端芯片就是28nm等成熟工藝的芯片。

要知道，臺積電也出現了產品交付延期的現象，主要原因就是制造芯片的設備中缺少了一些低端芯片，從而阻止了更多芯片的生產。

由此可見，中芯國際及早擴大28nm等芯片產能，還押注BCD等工藝，這完全是賭對了。

所以才說再次領先！中芯國際賭對了，臺積電變相承認了。對此，你們怎么看。