中商情報網(wǎng)訊：下一代信息技術(shù)與存儲器技術(shù)發(fā)展密不可分。物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能、智能車聯(lián)網(wǎng)、元宇宙等新一代信息技術(shù)既是數(shù)據(jù)的需求者，也是數(shù)據(jù)的產(chǎn)生者。根據(jù)IDC預(yù)測，全球數(shù)據(jù)總量將從2018年的33ZB增長至2025年的175ZB。面臨數(shù)據(jù)的爆發(fā)式增長，市場需要更多的存儲器承載海量的數(shù)據(jù)。

存儲器行業(yè)市場規(guī)模

2017年至2021年全球存儲器市場規(guī)模有所增長，2021年全球半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模為1538億美元，占集成電路市場規(guī)模比例為33%。預(yù)計2022年全球半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模為1555億美元。

數(shù)據(jù)來源：WSTS、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

全球存儲器芯片細(xì)分市場份額

根據(jù)掉電后數(shù)據(jù)是否可以繼續(xù)保存在器件內(nèi)，存儲芯片可分為掉電易失和掉電非易失兩種，其中易失存儲芯片主要包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）；非易失性存儲器主要包括可編程只讀存儲器（PROM），閃存存儲器（Flash）和可擦除可編程只讀寄存器（EPROM/EEPROM）等。NAND Flash和DRAM存儲器領(lǐng)域是半導(dǎo)體存儲器中規(guī)模最大的細(xì)分市場，規(guī)模均在數(shù)百億美元以上，合計占整個半導(dǎo)體存儲器市場比例達(dá)到95%以上。

數(shù)據(jù)來源：ICInsights、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

DRAM存儲器市場規(guī)模

DRAM是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，DRAM的特征是讀寫速度快、延遲低，但掉電后數(shù)據(jù)會丟失，常用于計算系統(tǒng)的運(yùn)行內(nèi)存。DRAM是存儲器市場規(guī)模最大的芯片，根據(jù)Trend Force數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2022年DRAM市場規(guī)模預(yù)計達(dá)到1055億美元。

數(shù)據(jù)來源：數(shù)據(jù)來源：Trend Force、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

目前DRAM晶圓的市場供應(yīng)主要集中在三星、SK海力士和美光，三大廠商2020年市場占有率合計已超過95%，其中三星市場占有率接近50%。國內(nèi)DRAM晶元廠商主要為合肥長鑫，目前尚處于起步階段。

數(shù)據(jù)來源：數(shù)據(jù)來源：Omdia（IHS Markit）、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

NAND Flash存儲器市場規(guī)模

NAND Flash是非易失性存儲的一種，是大容量存儲器當(dāng)前應(yīng)用最廣和最有效的解決方案。據(jù)Gartner統(tǒng)計，NANDFlash2020年市場規(guī)模為534.1億美元。

數(shù)據(jù)來源：Gartner、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

目前全球具備NANDFlash晶圓生產(chǎn)能力的主要有三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士、英特爾等企業(yè)，國產(chǎn)廠商長江存儲處于起步狀態(tài)，正在市場份額與技術(shù)上奮起直追。根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2020年六大NANDFlash晶圓廠占據(jù)了98%的市場份額。

數(shù)據(jù)來源：Omdia(IHS Markit)、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理