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AON6358_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/30.0V 參數3:ID/150.0A 參數4:RDON/2.0mR 標價:歡迎咨詢

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產品介紹

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AON6358 N溝道MOS管采用了先進的DFN5X6-8L封裝形式,小巧且功能強大。該器件具有30V的最大穩態漏源電壓,可支持高達150A的連續漏極電流,充分保證了在高電壓大電流條件下的可靠運行。更值得一提的是,其導通電阻僅為2mΩ,有效降低了能耗,提升了電路的工作效率。此款MOS管非常適合用于電源轉換、電機驅動及其它高端電力電子應用,是您優化系統設計的理想之選。



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