SIRA12DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/120.0A 參數4：RDON/3.5mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
SIRA12DP-T1-GE3 型號N溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，兼顧小型化與高效散熱性能，特別適合于高集成度電路設計。器件支持30V額定電壓VDSS，提供高達120A的連續電流ID，展現了卓越的功率處理能力。其導通電阻僅為3.5mR，極大提升了能源轉換效率，降低了系統損耗。
