Si2312CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
Si2312CDS-T1-GE3 是一款高性價比N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，特別適用于空間受限且需高效能的電子設計。器件支持最大20V的漏源電壓(VDSS)，并能穩定提供6A的漏極電流(ID)，同時擁有低至22mΩ的導通電阻(RD(on))，確保了優秀的電能轉換效率和低功耗。廣泛應用于電源管理、負載開關、馬達驅動等場景，是小型化、節能型電子設備的理想半導體元件。
