中國北京,2024年12月5日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布一項非易失性存儲領域的重大創新。該創新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術:基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節點平臺,X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP,并配備額外的4Kbit EEPROM。此外,從2025年起,X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPROM。