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繼美光、三星、Kioxia后,又一存儲大廠宣布減產NAND閃存10%

2025-01-17 來源:國際電子商情
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關鍵詞: NAND閃存 電子 存儲芯片 SK海力士

國際電子商情16日訊 在全球NAND閃存市場供過于求的背景下,閃存價格已經連續(xù)四個月下跌。為此,SK海力士日前也宣布加入減產行列,這家韓國存儲芯片制造商計劃在2025年上半年將其NAND閃存產量減少10%……

據(jù)The Elec報道,由于供應過剩,NAND閃存價格已經連續(xù)四個月下跌。SK海力士的NAND閃存總生產能力為每月30萬片晶圓,此次減產將有助于緩解市場上的庫存壓力,并穩(wěn)定NAND閃存的價格。

市調機構集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示,針對存儲卡和U盤等通用用途的NAND閃存(128Gb 16Gx8 MLC)的固定價格在8月份時為4.9美元,但現(xiàn)在已經下跌至2.08美元,并且每個月都在下降。這一價格下跌主要受智能手機和筆記本電腦需求減少的影響。

上個月,美國存儲器制造商美光科技(Micron)成為第一家宣布調整生產產量的公司。美光科技表示,它已經減少了原本計劃在NAND設備上的投資,并且放慢了技術節(jié)點的遷移速度。該公司稱,其產量減少了大約10%左右。

本周早些時候,三星也決定調整其在韓國的NAND閃存產量以及在中國西安的芯片工廠的運營率。包括日本的Kioxia也預計會做出類似的調整。

盡管針對人工智能數(shù)據(jù)中心的固態(tài)硬盤(eSSD)價格相對穩(wěn)定,但其未來趨勢尚不明朗。美光科技上個月表示,它觀察到針對人工智能數(shù)據(jù)中心的eSSD的短期需求有所下降。

在高端存儲解決方案領域,SK海力士在韓國龍仁市的新Fab廠和業(yè)務設施建設,部分目的是為了應對面向AI的半導體存儲器需求,這包括HBM產品。該項目的投資約為9.4萬億韓元,預計于2027年5月竣工。

此外,SK海力士也在韓國忠清北道的清州建造M15X晶圓廠,作為新的DRAM存儲芯片大型生產基地。盡管該項目主要聚焦于DRAM領域,HBM作為高端存儲解決方案,同樣是其關注的重點方向。





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